型号:

2N7000G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
2N7000G PDF
产品目录绘图 MOSFET TO-92 Pkg
标准包装 1,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 60pF @ 25V
功率 - 最大 350mW
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装 TO-92-3
包装 散装
产品目录页面 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 2N7000G-ND
2N7000GOS
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